MNC 2013技術セミナー 「MOSFETの低電圧動作に求められる急峻な立ち上がり特性の現状」
MNC 国際会議では、最新の技術やトピックスに関するセミナーを毎回開催しています。今回のセミナーは、マイクロ・ナノ技術の本流とも言えるCMOS集積回路技術において注目されてている低電圧動作の為の急峻な立ち上がり特性について、研究・開発の最先端に居られる講師の方から講義をいただきます。
ITRSのロードマップにも記載され、次世代の集積回路技術として注目されているこの技術の必要性、技術の基本的な原理から実際のトランジスタの特性に至る幅広いお話をいただく予定です。
主な対象は学生から若手研究者を念頭に置いて企画 しましたが、経験がご豊富な研究・開発者の方にも十分ご参考にいただける内容になると考えております。また、皆様の理解がより一層進むよう通常の
講演に比べ、講義と質疑応答の時間を長く取っております。皆様のご聴講をお待ちしております。
日程： 2013年11月5日 （火） 13:30-16:45
場所： ロイトン札幌2F Room E (クリスタルルーム)
オーガナイザーズ：
MNC 2013 実行副委員長： 知京 豊裕 (物質・材料研究所)
MNC 2013 実行委員長： 宮本 恭幸
(東京工業大学)
プログラム：
2F Room E (クリスタルルーム)
13:30-13:35 開会の挨拶 MNC 2013 実行副委員長
知京 豊裕 （物質・材料研究所）
13:35-14:50 集積回路における急峻な立ち上がり特性の必要性とSi-MOSFETにおける現状
太田 裕之（産業技術総合研究所）
14:50-15:10 休憩
15:10-15:55 基板電位によるSi ナノワイヤトランジスタのサブスレッショルド特性の急峻化
西口 克彦（NTT）
15:55-16:40 III-V/Siナノワイヤトランジスタによるサブスレッショルド特性の急峻化
冨岡 克弘（北海道大学/JST）
16:40-16:45 微細加工ナノプラットフォームコンソーシアムの紹介（5分）
落合 幸徳（産業技術総合研究所）
2F Room F (ハイネスホール)
17:00-19:00 MNC 2013 Get Together
Party(セミナー参加者無料）
■事務局
第26回マイクロプロセス・ナノテクノロジー国際会議（MNC 2013）事務局
（有）セクレタリーアート気付
電話：03-3420-1800
FAX：03-3420-1840
